Trench MOS
Trench MOS這種新型垂直結(jié)構(gòu)器件在VDMOS的基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)，和VDMOS相比，Trench MOS擁行更低的導(dǎo)通屯阻和柵漏電荷密度，因而擁行更低的導(dǎo)通和開(kāi)義損耗及更快的開(kāi)義速度。 同時(shí)由于Trench MOS的溝逍是垂直的， 故可進(jìn)一步提高具溝逍密度， 減小芯片尺寸， 降低導(dǎo)通電阻。 ）并且具有MOS器件的一切優(yōu)點(diǎn)， 如： 開(kāi)關(guān)速度快、 驅(qū)動(dòng)功率小等。并聯(lián)的元胞具有負(fù)的溫度系數(shù)，有利于大電流和更寬的安全工作區(qū)的實(shí)現(xiàn)。
